ZXTN25020

ZXTN25020, ZXTN25020BFHTA, ZXTN25020CFH, ZXTN25020CFHTA, ZXTN25020DFHTA, ZXTN25020DFLTA, ZXTN25020DGTA, ZXTN25020DZTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZXTN25020BFHTAZXTN25020CFHZXTN25020CFHTAZXTN25020DFHTAZXTN25020DFLTAZXTN25020DGTAZXTN25020DZTA
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-89-3, TO-243-3
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4.5 А<4.5 А<4.5 А<4.5 А<2 А<7 А<6 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.05 Вт<1.05 Вт<1.25 Вт<1.05 Вт<350 мВт<3 Вт<2.4 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 2V>200Ic, Vce = 10mA, 2V>200Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V>300Ic, Vce = 10mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<45 мВIb, Ic = 100mA, 1A<45 мВIb, Ic = 100mA, 1A<45 мВIb, Ic = 100mA, 1A<43 мВIb, Ic = 100mA, 1A<70 мВIb, Ic = 100mA, 1A<180 мВIb, Ic = 20mA, 2A<180 мВIb, Ic = 20mA, 2A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<185 МГц<185 МГц<185 МГц<215 МГц<215 МГц<215 МГц<215 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN