ZXTN2010

ZXTN2010, ZXTN2010A, ZXTN2010ASTOA, ZXTN2010ASTZ, ZXTN2010GTA, ZXTN2010ZTA

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZXTN2010AZXTN2010ASTOAZXTN2010ASTZZXTN2010GTAZXTN2010ZTA
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASOT-89-3, TO-243-3
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4.5 А<4.5 А<4.5 А<6 А<5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт<1 Вт<1 Вт<3 Вт<1.5 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 2A, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<30 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<55 мВIb, Ic = 100mA, 1A<30 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<30 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<30 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<130 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN