ZXT10N50

ZXT10N50, ZXT10N50DE6TA, ZXT10N50DE6TC

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZXT10N50DE6TAZXT10N50DE6TC
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-6
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 10mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<165 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА