ZTX788A

ZTX788, ZTX788A, ZTX788ASTOA, ZTX788ASTOB, ZTX788ASTZ, ZTX788B, ZTX788BSTOA, ZTX788BSTOB, ZTX788BSTZ

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZTX788AZTX788ASTOAZTX788ASTOBZTX788ASTZZTX788BZTX788BSTOAZTX788BSTOBZTX788BSTZ
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>500Ic, Vce = 10mA, 2V>500Ic, Vce = 10mA, 2V>500Ic, Vce = 10mA, 2V>500Ic, Vce = 10mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<320 мВIb, Ic = 20mA, 2A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A<250 мВIb, Ic = 5mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<150 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP