ZBD857

ZBD857

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрZBD857
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-126-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Diodes/Zetex
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<300 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 500mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<140 мВIb, Ic = 100mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<80 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN