TIP112-BP

TIP112, TIP112-BP, TIP112G, TIP112TU

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрTIP112-BPTIP112GTIP112TU
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220AB-3, TO-220AB-3TO-220AB-3, TO-220-3 (Straight Leads)TO-220AB-3, TO-220-3 (Straight Leads)
Виробник
Виробник
Micro Commercial CoON SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<50 Вт<50 Вт<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>1000Ic, Vce = 1A, 4V>1000Ic, Vce = 1A, 4V>500Ic, Vce = 2A, 4V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<2.5 ВIb, Ic = 8mA, 2A
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<2 мА