STD888

STD888, STD888T4

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрSTD888T4
Корпус мікросхеми
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник
Виробник
STMicroelectronics
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<15 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 500mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<150 мВIb, Ic = 5mA, 500mA
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP