На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | STBV42-AP | STBV42G | STBV42G-AP | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||
Виробник | Виробник | STMicroelectronics | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <400 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >12Ic, Vce = 500µA, 2V | >10Ic, Vce = 400mA, 5V | >12Ic, Vce = 500µA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <1 ВIb, Ic = 125mA, 500mA | <1 ВIb, Ic = 125mA, 500mA | <1.5 ВIb, Ic = 250mA, 750mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <1 мА | <1 мА | <5 мА |