На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PZT2222A | PZT2222A,115 | PZT2222A,135 | PZT2222AT1 | PZT2222AT1G | PZT2222AT3 | PZT2222AT3G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА | <600 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <1 Вт | <1.15 Вт | <1.15 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт | <1.5 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >35Ic, Vce = 0.1mA, 10V | >35Ic, Vce = 100µA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V | >100Ic, Vce = 150mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA | <300 мВIb, Ic = 15mA, 150mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | ||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||