PN2907A_D81Z

PN2907, PN2907A, PN2907A,116, PN2907A,126, PN2907A-AP, PN2907ABU, PN2907A_D81Z, PN2907ADI, PN2907AG, PN2907A_J05Z, PN2907A_J18Z, PN2907A_J61Z, PN2907ANLBU, PN2907ARLRA, PN2907ARLRAG, PN2907AT93, PN2907ATA, PN2907ATAR, PN2907ATF, PN2907ATFR, PN2907BU, PN2907TA, PN2907TAR, PN2907TF, PN2907TFR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		PN2907A	PN2907A,116	PN2907A,126	PN2907A-AP	PN2907ABU	PN2907A_D81Z	PN2907ADI	PN2907AG	PN2907A_J05Z	PN2907A_J18Z	PN2907A_J61Z	PN2907ANLBU	PN2907ARLRA	PN2907ARLRAG	PN2907AT93	PN2907ATA	PN2907ATAR	PN2907ATF	PN2907ATFR	PN2907BU	PN2907TA	PN2907TAR	PN2907TF	PN2907TFR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник	Виробник	STMicroelectronics	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Diodes Inc	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Rohm Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor	Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора	I_C	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<500 мА	<800 мА	<800 мА	<300 мА	<600 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<600 мА	<600 мА	<600 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА	<800 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера	U_CEO	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В	<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора	P_C	<500 мВт	<500 мВт	<500 мВт	<600 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт	<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 10mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 10V	>100Ic, Vce = 1mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V	>100Ic, Vce = 150mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора	U_CE-sat	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<400 мВIb, Ic = 15mA, 150mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA	<1.6 ВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора	f_h21	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Структура біполярного транзистора	Структура	PNP
Струм відсічення колектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<50 нА	(не задано)	(не задано)	<50 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)