PN2369_D27Z

PN2369, PN2369A, PN2369A,126, PN2369A_D26Z, PN2369A_D27Z, PN2369A_D74Z, PN2369A_D75Z, PN2369_D26Z, PN2369_D27Z

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPN2369APN2369A,126PN2369A_D26ZPN2369A_D27ZPN2369A_D74ZPN2369A_D75ZPN2369_D26ZPN2369_D27Z
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<500 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 350mV>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V>40Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
(не задано)<500 МГц(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN