PN200

PN200, PN200A, PN200A_D26Z, PN200A_D74Z, PN200A_D75Z, PN200A_J18Z, PN200_D26Z, PN200_D27Z, PN200_D74Z, PN200_D75Z, PN200RM

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPN200APN200A_D26ZPN200A_D74ZPN200A_D75ZPN200A_J18ZPN200_D26ZPN200_D27ZPN200_D74ZPN200_D75ZPN200RM
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>300Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<250 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<50 нА