На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PHE13009,127 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB-3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <12 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <400 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <80 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >8Ic, Vce = 5A, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <320 мВIb, Ic = 1A, 5A |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <5 мА |