На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS9110AS,126 | PBSS9110D,115 | PBSS9110S,126 | PBSS9110T,215 | PBSS9110X,135 | PBSS9110Y,115 | PBSS9110Z,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SC-74-6 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | ||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <100 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <830 мВт | <550 мВт | <830 мВт | <300 мВт | <1.4 Вт | <480 мВт | <1 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 500mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V | >150Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <120 мВIb, Ic = 25mA, 250mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | ||||||