PBSS8110AS,126

PBSS8110, PBSS8110AS,126, PBSS8110D,115, PBSS8110S,126, PBSS8110T,215, PBSS8110X,135, PBSS8110Y,115, PBSS8110Z,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS8110AS,126PBSS8110D,115PBSS8110S,126PBSS8110T,215PBSS8110X,135PBSS8110Y,115PBSS8110Z,135
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226SC-74-6TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В<100 В<100 В<100 В<100 В<10 В<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<830 мВт<700 мВт<830 мВт<300 мВт<1.4 Вт<480 мВт<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 5V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V>150Ic, Vce = 1mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<120 мВIb, Ic = 25mA, 250mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<120 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA<40 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNPNPNPNNPNNPNNPNPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА(не задано)<100 нА