PBSS5520

PBSS5520, PBSS5520X,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS5520X,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.4 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<50 мВIb, Ic = 5mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN