На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS5240T,215 | PBSS5240V,115 | PBSS5240Y,115 | PBSS5240Y,135 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SS Mini-6 (SOT-666) | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А | <1.8 А | <3 А | <2 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <480 мВт | <500 мВт | <430 мВт | <430 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 1mA, 5V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V | >300Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <100 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <120 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <100 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <100 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) |