PBSS5160T,215

PBSS5160, PBSS5160K,115, PBSS5160T,215, PBSS5160U,115, PBSS5160V,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS5160K,115PBSS5160T,215PBSS5160U,115PBSS5160V,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SS Mini-6 (SOT-666)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<860 мА<1 А<930 мА<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<350 мВт<270 мВт<350 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V>250Ic, Vce = 1mA, 5V>200Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<175 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<160 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<115 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<160 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<185 МГц<220 МГц<220 МГц<220 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА