PBSS5140S,126

PBSS5140, PBSS5140S,126, PBSS5140T,215, PBSS5140U,115, PBSS5140U,135, PBSS5140V,115, PBSS5140V,315

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS5140S,126PBSS5140T,215PBSS5140U,115PBSS5140U,135PBSS5140V,115PBSS5140V,315
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SS Mini-6 (SOT-666)SS Mini-6 (SOT-666)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<830 мВт<450 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 1mA, 5V>300Ic, Vce = 1mA, 5V>300Ic, Vce = 1mA, 5V>300Ic, Vce = 1mA, 5V>160Ic, Vce = 1A, 5V>160Ic, Vce = 1A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА