PBSS4350

PBSS4350, PBSS4350D,115, PBSS4350D,135, PBSS4350S,126, PBSS4350T,215, PBSS4350X,115, PBSS4350X,135, PBSS4350X,146, PBSS4350X,147, PBSS4350Z,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS4350D,115PBSS4350D,135PBSS4350S,126PBSS4350T,215PBSS4350X,115PBSS4350X,135PBSS4350X,146PBSS4350X,147PBSS4350Z,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-6SC-74-6TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
ПоверхневийПоверхневийКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А<3 А<3 А<2 А<3 А<3 А<3 А<3 А<3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт<750 мВт<830 мВт<480 мВт<1.4 Вт<1.4 Вт<1.6 Вт<1.6 Вт<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<80 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<370 мВIb, Ic = 300mA, 3A<370 мВIb, Ic = 300mA, 3A<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц(не задано)(не задано)<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)