PBSS4240T,215

PBSS4240, PBSS4240T,215, PBSS4240V,115, PBSS4240Y,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS4240T,215PBSS4240V,115PBSS4240Y,115
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SS Mini-6 (SOT-666)SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<480 мВт<900 мВт<270 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>350Ic, Vce = 100mA, 2V>300Ic, Vce = 1mA, 5V>350Ic, Vce = 100mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<70 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<75 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<100 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<230 МГц<150 МГц<230 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
(не задано)<100 нА(не задано)