На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS4220V,115 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SS Mini-6 (SOT-666) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >220Ic, Vce = 1mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <55 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <210 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА |