На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS4160K,115 | PBSS4160T,215 | PBSS4160U,115 | PBSS4160V,115 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SS Mini-6 (SOT-666) |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <350 мВт | <270 мВт | <350 мВт | <500 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >250Ic, Vce = 1mA, 5V | >400Ic, Vce = 1mA, 5V | >250Ic, Vce = 1mA, 5V | >250Ic, Vce = 1mA, 5V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <115 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <110 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <115 мВIb, Ic = 1mA, 100mA | <110 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <220 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | |||