PBSS4140T,215

PBSS4140, PBSS4140S,126, PBSS4140T,215, PBSS4140T,235, PBSS4140U,115, PBSS4140U,135, PBSS4140V,115

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS4140S,126PBSS4140T,215PBSS4140T,235PBSS4140U,115PBSS4140U,135PBSS4140V,115
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SS Mini-6 (SOT-666)
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<830 мВт<450 мВт<450 мВт<350 мВт<350 мВт<500 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 1mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 1mA, 100mA<140 мВIb, Ic = 1mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNNPNNPNPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА