На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS4120T,215 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >350Ic, Vce = 100mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <80 мВIb, Ic = 1mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |