PBSS306NZ,135

PBSS306, PBSS306NX,115, PBSS306NZ,135, PBSS306PX,115, PBSS306PZ,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS306NX,115PBSS306NZ,135PBSS306PX,115PBSS306PZ,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4.5 А<5.1 А<3.7 А<4.1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.65 Вт<1.7 Вт<1.7 Вт<1.7 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<45 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<45 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<110 МГц<110 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNPNPPNP