PBSS305

PBSS305, PBSS305ND,115, PBSS305NX,115, PBSS305NZ,135, PBSS305PD,115, PBSS305PX,115, PBSS305PZ,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS305ND,115PBSS305NX,115PBSS305NZ,135PBSS305PD,115PBSS305PX,115PBSS305PZ,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<3 А<4.6 А<5.1 А<2 А<4 А<4.5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В<80 В<80 В<100 В<80 В<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<1.7 Вт<750 мВт<1.65 Вт<1.7 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>170Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>175Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<40 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<140 МГц<110 МГц<110 МГц<110 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)