PBSS304ND,115

PBSS304, PBSS304ND,115, PBSS304NX,115, PBSS304NZ,135, PBSS304PD,115, PBSS304PX,115, PBSS304PZ,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS304ND,115PBSS304NX,115PBSS304NZ,135PBSS304PD,115PBSS304PX,115PBSS304PZ,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А<4.7 А(не задано)<3 А<4.2 А<4.5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В<60 В<60 В<80 В<60 В<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт<1.65 Вт<1.65 Вт<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>240Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 1A, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<220 мВIb, Ic = 200mA, 4A<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<300 мВIb, Ic = 200mA, 4A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<140 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц<130 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)