PBSS303NX,115

PBSS303, PBSS303ND,115, PBSS303NX,115, PBSS303NZ,135, PBSS303PD,115, PBSS303PX,115, PBSS303PZ,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS303ND,115PBSS303NX,115PBSS303NZ,135PBSS303PD,115PBSS303PX,115PBSS303PZ,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А<5.1 А<5.5 А<1 А<5.1 А<5.3 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В<30 В<30 В<60 В<30 В<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>345Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>180Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 1A, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<30 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<130 мВIb, Ic = 400mA, 4A<70 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<140 мВIb, Ic = 40mA, 2A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<140 МГц<130 МГц<130 МГц<110 МГц<130 МГц<130 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)