На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS303ND,115 | PBSS303NX,115 | PBSS303NZ,135 | PBSS303PD,115 | PBSS303PX,115 | PBSS303PZ,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | <5.1 А | <5.5 А | <1 А | <5.1 А | <5.3 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <60 В | <30 В | <30 В | <60 В | <30 В | <30 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <750 мВт | <1.65 Вт | <2 Вт | <750 мВт | <1.65 Вт | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >345Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 1A, 2V | >180Ic, Vce = 500mA, 2V | >250Ic, Vce = 500mA, 2V | >250Ic, Vce = 1A, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <30 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <130 мВIb, Ic = 400mA, 4A | <70 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <140 мВIb, Ic = 40mA, 2A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <140 МГц | <130 МГц | <130 МГц | <110 МГц | <130 МГц | <130 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | NPN | PNP | PNP | PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) |