PBSS302NX,115

PBSS302, PBSS302ND,115, PBSS302NX,115, PBSS302NZ,135, PBSS302PD,115, PBSS302PX,115, PBSS302PZ,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS302ND,115PBSS302NX,115PBSS302NZ,135PBSS302PD,115PBSS302PX,115PBSS302PZ,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4 А<5.3 А<5.8 А<4 А<5.1 А<5.5 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<40 В<20 В<20 В<40 В<20 В<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<1.7 Вт<750 мВт<1.65 Вт<700 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>200Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 500mA, 2V>345Ic, Vce = 500mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<150 МГц<150 МГц<140 МГц<110 МГц<130 МГц<140 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)<100 нА