На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBSS302ND,115 | PBSS302NX,115 | PBSS302NZ,135 | PBSS302PD,115 | PBSS302PX,115 | PBSS302PZ,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SC-74-6 | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <4 А | <5.3 А | <5.8 А | <4 А | <5.1 А | <5.5 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | <20 В | <20 В | <40 В | <20 В | <20 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <750 мВт | <1.65 Вт | <1.7 Вт | <750 мВт | <1.65 Вт | <700 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >300Ic, Vce = 500mA, 2V | >200Ic, Vce = 500mA, 2V | >250Ic, Vce = 500mA, 2V | >345Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <60 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <35 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | <55 мВIb, Ic = 50mA, 500mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <150 МГц | <150 МГц | <140 МГц | <110 МГц | <130 МГц | <140 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | NPN | NPN | PNP | PNP | PNP |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | <100 нА |