PBSS301

PBSS301, PBSS301ND,115, PBSS301NX,115, PBSS301NZ,135, PBSS301PD,115, PBSS301PX,115, PBSS301PZ,135

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрPBSS301ND,115PBSS301NX,115PBSS301NZ,135PBSS301PD,115PBSS301PX,115PBSS301PZ,135
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AASC-74-6SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Виробник
Виробник
NXP Semiconductors
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<4 А<5.3 А<5.8 А<4 А<5.3 А<5.7 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В<12 В<12 В<20 В<12 В<12 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт<750 мВт<1.65 Вт<2 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 500mA, 2V>300Ic, Vce = 1A, 2V>250Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 500mA, 2V>250Ic, Vce = 1A, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<25 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<70 мВIb, Ic = 10mA, 1A<50 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<30 мВIb, Ic = 50mA, 500mA<90 мВIb, Ic = 10mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц<140 МГц<140 МГц<80 МГц<140 МГц<140 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPNNPNNPNPNPPNPPNP
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)