На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | PBHV8115T,215 | PBHV8115Z,115 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <1 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <150 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <300 мВт | <700 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 50mA, 10V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | (не задано) | <50 мВIb, Ic = 20mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <30 МГц | |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | |
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | |