На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSS40200LT1G | NSS40200UW6T1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | 6-WDFN |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <40 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <460 мВт | <1.5 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >220Ic, Vce = 500mA, 2V | >150Ic, Vce = 500mA, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <170 мВIb, Ic = 10mA, 1A | <300 мВIb, Ic = 20mA, 2A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <140 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |