На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSS20601CF8T1G | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | 8-ChipFET&trade |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <6 А |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <20 В |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <830 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1A, 2V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <130 мВIb, Ic = 400mA, 4A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <140 МГц |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN |