На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NSS1C200LT1G | NSS1C200MZ4T1G | NSS1C200MZ4T3G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <100 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <490 мВт | <2 Вт | <2 Вт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 500mA, 2V | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <220 мВIb, Ic = 200mA, 2A | <220 мВIb, Ic = 200mA, 2A |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <120 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||