На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | NJD2873RL | NJD2873T4 | NJD2873T4G | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <2 А | ||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | ||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <15 Вт | ||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 500mA, 2V | ||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 50mA, 1A | ||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <65 МГц | ||
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||