MSD601-RT1

MSD601, MSD601-RT1, MSD601-RT1G, MSD601-ST1, MSD601-ST1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMSD601-RT1MSD601-RT1GMSD601-ST1MSD601-ST1G
Корпус мікросхеми
Корпус
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<200 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>210Ic, Vce = 2mA, 10V>210Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V>290Ic, Vce = 2mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА