На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MSD42SWT1 | MSD42SWT1G | MSD42T1G | MSD42WT1 | MSD42WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <150 мА | ||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <300 В | ||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | ||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | ||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 200mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 200mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA |
Структура біполярного транзистора | Структура | NPN | ||||