На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MSB92ASWT1 | MSB92ASWT1G | MSB92AWT1G | MSB92T1 | MSB92T1G | MSB92WT1 | MSB92WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | <500 мА | <500 мА | <150 мА | <150 мА | <500 мА | <500 мА |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <300 В | ||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <150 мВт | ||||||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 1mA, 10V | >120Ic, Vce = 1mA, 10V | >120Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V | >25Ic, Vce = 1mA, 10V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA | ||||||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | ||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||