На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MSB710-RT1 | MSB710-RT1G | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | |
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 150mA, 10V | |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 30mA, 300mA | |
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |