На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MSA1162GT1 | MSA1162GT1G | MSA1162YT1 | MSA1162YT1G | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 | |||
Виробник | Виробник | ON Semiconductor | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <100 мА | |||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <50 В | |||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <200 мВт | |||
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 2mA, 6V | >200Ic, Vce = 2mA, 6V | >120Ic, Vce = 2mA, 6V | >120Ic, Vce = 2mA, 6V |
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <80 МГц | |||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | |||