MRF5812GR1

MRF5812, MRF5812GR1, MRF5812R2

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMRF5812GR1MRF5812R2
Виробник
Виробник
Microsemi-PPG
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Поверхневий
Постійний струм колектора транзистора
IC
<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<15 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1.25 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>50Ic, Vce = 50mA, 5V
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN