MPSW45A

MPSW45, MPSW45A, MPSW45AG, MPSW45ARLRAG, MPSW45AZL1, MPSW45AZL1G, MPSW45G, MPSW45RLRE, MPSW45RLREG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSW45AMPSW45AGMPSW45ARLRAGMPSW45AZL1MPSW45AZL1GMPSW45GMPSW45RLREMPSW45RLREG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Long Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226TO-92-3 (Long Body), TO-226, TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
ON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<40 В<40 В<40 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<1 Вт<1 Вт<2.5 Вт<1 Вт<2.5 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>25000Ic, Vce = 200mA, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V>4000Ic, Vce = 1A, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 2mA, 1A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington