MPSA64

MPSA64, MPSA64,116, MPSA64_D74Z, MPSA64_D75Z, MPSA64G, MPSA64RLRA, MPSA64RLRAG, MPSA64RLRM, MPSA64RLRMG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA64,116MPSA64_D74ZMPSA64_D75ZMPSA64GMPSA64RLRAMPSA64RLRAGMPSA64RLRMMPSA64RLRMG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА<1.2 А<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP DarlingtonPNP Darlington