MPSA63

MPSA63, MPSA63_D26Z, MPSA63_D27Z, MPSA63_D74Z, MPSA63_D75Z, MPSA63G, MPSA63RLRA, MPSA63RLRAG, MPSA63RLRMG, MPSA63RLRPG, MPSA63ZL1, MPSA63ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA63_D26ZMPSA63_D27ZMPSA63_D74ZMPSA63_D75ZMPSA63GMPSA63RLRAMPSA63RLRAGMPSA63RLRMGMPSA63RLRPGMPSA63ZL1MPSA63ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP Darlington