На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | MPSA56,116 | MPSA56_D26Z | MPSA56_D27Z | MPSA56_D74Z | MPSA56_D75Z | MPSA56G | MPSA56RA | MPSA56RLRA | MPSA56RLRAG | MPSA56RLRMG | MPSA56RLRPG | MPSA56ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||
Виробник | Виробник | NXP Semiconductors | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||||||||
Постійний струм колектора транзистора | IC | <500 мА | |||||||||||
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера | UCEO | <80 В | |||||||||||
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора | PC | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <1.5 Вт | <625 мВт | <625 мВт |
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | |||||||||||
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <200 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA |
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора | fh21 | <50 МГц | |||||||||||
Структура біполярного транзистора | Структура | PNP | |||||||||||
Струм відсічення колектора | Ifrc | <100 нА | |||||||||||