MPSA06_D26Z

MPSA06, MPSA06,116, MPSA06,126, MPSA06,412, MPSA06_D26Z, MPSA06_D27Z, MPSA06_D74Z, MPSA06_D75Z, MPSA06DI, MPSA06G, MPSA06RA, MPSA06RL, MPSA06RL1, MPSA06RL1G, MPSA06RLG, MPSA06RLRA, MPSA06RLRAG, MPSA06RLRM, MPSA06RLRMG, MPSA06RLRPG, MPSA06T93

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA06,116MPSA06,126MPSA06,412MPSA06_D26ZMPSA06_D27ZMPSA06_D74ZMPSA06_D75ZMPSA06DIMPSA06GMPSA06RAMPSA06RLMPSA06RL1MPSA06RL1GMPSA06RLGMPSA06RLRAMPSA06RLRAGMPSA06RLRMMPSA06RLRMGMPSA06RLRPGMPSA06T93
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorDiodes IncON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorRohm Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<80 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<350 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>50Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V>100Ic, Vce = 10mA, 1V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<100 нА<1 мкА