MPS751G

MPS751, MPS751_D26Z, MPS751G, MPS751RLRA, MPS751RLRAG, MPS751RLRPG, MPS751ZL1, MPS751ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPS751_D26ZMPS751GMPS751RLRAMPS751RLRAGMPS751RLRPGMPS751ZL1MPS751ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<60 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<1.5 Вт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>40Ic, Vce = 2A, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V>75Ic, Vce = 50mA, 2V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<300 мВIb, Ic = 100mA, 1A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A<500 мВIb, Ic = 200mA, 2A
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<75 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
PNP